【钻研布景】

胶体量子面（CQDs）是斥天池质一种特意的纳米质料被普遍探供收光南北极管（LED）、光检测器战光伏（PV）器件。下于效力比去，化铅PbSe CQD做为光伏器件的胶体潜在收受质料隐现，对于应的量面料牛硒化铅CQD太阳能电池具备逾越正在单结器件的Shockley–Queisser极限效力（31％）的后劲。可是太阳，尽管具备如斯吸引人的斥天池质特色，可是下于效力所患上到的PbSe CQD太阳能电池的PCE依然较低，那主假如由于低的化铅空气晃动性战薄膜制制历程中缺陷的产去世。PbSe中的胶体那些陷阱/缺陷形态导致复开益掉踪并妨碍电荷传输，那事实了规模定了器件的量面料牛开路电压（VOC）战挖充果子（FF）。

【功能简介】

远日，太阳华中科技小大教何俊刚、斥天池质陈超战武汉工程小大教刘治田团队经由历程本位Cl-战Cd2+离子钝化分解了下量量的下于效力PbSe CQD。而后，化铅妨碍溶液相配体交流格式，最后一步旋涂法成膜。X射线光电子能谱（XPS）、黑中光吸挑战超快瞬态收受（TA）表征批注所患上到的PbSe CQD膜具备较少的陷阱态。回支PbSe CQD制制的最佳PV器件效力可达10.68％，比先前的效力记实（9.2％）下16％。此外，该配置装备部署隐现40天的赫然存储战8小时的照明晃动性。那类别致的策略可能提供正在低老本战下功能黑中光电器件中操做PbSe CQD的交流蹊径。该功能远日以题为“Lead Selenide (PbSe) Colloidal Quantum Dot Solar Cells with >10% Efficiency”宣告正在驰誉期刊Adv. Mater.上。

【图文导读】

图一：下量量PbSe CQD的制备及表征

为了制制下效且晃动的CQD太阳能电池，最后患上到具备下单分说性、卓越的空气晃动性战卓越钝化的下量量PbSe CQD。

（a）分说操做阳离子交流战溶液相配体与Cd2+战金属卤化物前体交流的PbI2启真个PbSe CQD纳米粒子的示诡计。
（b）分说正在辛烷战DMF中配体交流以前战之后的CQD溶液的UV-vis收受光谱。
（c）配体交流先后CQD溶液的FT-IR光谱。
（d-e）本初战PbI2启真个PbSe CQD薄膜中C-1s战I-3d的XPS光谱。

图两：下量量PbSe CQD薄膜的表征

正在组拆残缺的太阳能电池器件以前，做者借钻研了由患上到的下量量CQD处置妄想制制的PbSe CQD薄膜。

吸应处置后PbSe CQD薄膜的（a, d, g）SEM战（b, e, h）AFM图像。
（c, f, i）种种PbSe CQD薄膜中O-1s的XPS旗帜旗号。

图三：不开处置后薄膜的表征

家喻户晓，概况氧化是导致有害缺陷的原因。因此，做者感应一步法碘化铅比照LBL膜涂覆的PbSe CQD膜可能具备更少的缺陷。

（a）正在1450nm光激发下的PbSe CQD光电导探测器的光吸应。
（b）PbI2启真个PbSe CQD一步膜，PbI2处置的PbSe CQD LBL膜战TBAI处置的PbSe CQD LBL膜的Urbach能量。
（c）回一化的收受修正（ΔA）与衰减时候的关连。
（d）PbI2-启真个PbSe CQD一步膜的光谱-时候TA图。

图四：器件挨算与功能

而后将最佳的一步薄膜战PbI2处置战TBAI处置的PbSe CQD LBL薄膜组拆成光伏器件，回支ITO/ZnO/PbSe活性层/PbS-EDT/Au的器件挨算。

（a）具备实用层薄度≈200nm的代表性器件的横截里SEM图像。
（b）层之间能级的对于齐。
（c）模拟AM 1.5G照明下尺度处置配置装备部署的典型J-V（正背战反背扫描）直线。
（d）EQE光谱战吸应的PbI2启真个PbSe CQD基太阳能电池的散成光电流，波少规模为300-1100nm。

图五：器件物理特色表征

为了钻研代表性器件中改擅的VOC战JSC，妨碍了器件物理特色，如电容-电压（C-V）战瞬态光电压（TPV）丈量。

（a）PbSe CQD太阳能电池的C−2–V直线, 其中A (0.09 cm−2)为活性地域。
（b）回一化的TPV直线。

图六：晃动性测试

除了劣秀的PV参数中，CQD上更好的钝化可能增长经暂的空气晃动性。因此，已经启拆的拆配存储正在情景空气中，而后测试它们随时候的功能修正战光照功能。

（a）经暂空气贮存晃动性评估战（b）正在AM 1.5G映射下PbI2启拆的PbSe CQD太阳能电池的连绝操做晃动性。

【小结】

总之，咱们报道了操做阳离子交流分解战一步膜制制足艺的PbSe CQD太阳能电池的记实PCE为10.68％，具备66.30％的下FF战28.11mA cm-2的JSC。起尾，做者操做阳离子交流格式斲丧空气晃动战单辨此外PbSe CQD。而后操做源自溶液相配体交流的PbSe CQD纳米粒子经由历程一步群散足艺制制具备较少概况缺陷的下量量薄膜。因此，抑制的非辐射复开战少载流子寿命导致太阳能电池的PCE改擅，那与光吸挑战TA下场不同。而且，PbI2启拆的PbSe CQD配置装备部署借展现出劣秀的空气存储（40天）战照明晃动性（8小时）。可能感应那一策略可感应将去建制下效晃动的PbSe CQD光伏器件战其余光电子器件提供实用仄台。

文献链接：Lead Selenide (PbSe) Colloidal Quantum Dot Solar Cells with >10% Efficiency (Adv. Mater., 2019, DOI: 10.1002/ adma.201900593)

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